发明授权：

1. 侯剑辉，李永舫，霍利军，何畅，樊本虎 "一种聚对苯乙炔及制备方法和应用"，授权公告号：CN100341906C，授权公告日：2007.10.10

2. 侯剑辉，李永舫 " 一种支链共轭聚噻吩衍生物材料及其制备方法"，授权公告号：CN100345888C，授权公告日：2007.10.31

3. 侯剑辉，谭占鳌，李永舫 "一种两维共轭聚合物及其制备方法与应用"，授权公告号：CN1986603B，授权公告日：2010.05.05

4. 霍利军，侯剑辉 "一种苯并二呋喃类共轭聚合物材料及其制备方法与应用"，授权公告号：CN102408547B，授权公告日：2013.05.22

5. 侯剑辉，张少青 " 用于聚合物太阳能电池活性层材料的具有羰基取代噻吩并[3，4-B]噻吩单元的共轭聚合物"，授权公告号：CN102482421B，授权公告日：2013.11.06

6. 霍利军，侯剑辉 "一种二维共轭苯并二呋喃类共轭聚合物材料及其制备方法与应用"，授权公告号：CN102585175B，授权公告日：2013.12.11

7. 霍利军，侯剑辉，武岳 "光电活性二噻吩并苯并二噻吩类共轭聚合物及其制备方法与应用"，授权公告号：CN102585177B，授权公告日：2014.05.07

8. 杨阳，侯剑辉 "用于光电器件的活性材料"，授权公布号：CN102164926B，授权公告日：2015.01.14

 

发明公布：

1. 杨阳，侯剑辉，陈香妤 "用于光电器件的活性材料及使用所述材料的器件"，申请公布号：CN102124046A，申请公布日：2011.07.13

2. 侯剑辉，钱德平 "一类可交联的噻吩并[3,4-b]噻吩共轭聚合物及其制备方法与应用"，申请公布号：CN102532492A，申请公布日：2012.07.04

3. 霍利军，侯剑辉 "二噻吩并苯并二噻吩类共轭聚合物材料及其制备方法与应用"，申请公布号：CN103193962A，申请公布日：2013.07.10

4. 张茂杰，国霞，侯剑辉 " 一种共轭聚合物及其制备方法与应用"，申请公布号：CN103435783A，申请公布日：2013.12.11

5. 张茂杰，国霞，侯剑辉 "一种聚噻吩衍生物及其制备方法与应用"，中国发明专利，申请公布号：CN103772665A，申请公布日：2014.05.07

6. 侯剑辉，陈宇，张少青  "一种带有聚乙二醇单甲醚侧链的噻吩并[3,4-b]噻吩共轭聚合物材料、其制备方法及其应用"，申请公布号：CN103804659A，申请公布日：2014.05.21

7. 侯剑辉，叶龙，张少青 "一种含有硫取代的二维共轭聚合物，其制备方法及其应用"，申请公布号：CN103833991A，申请公布日：2014.06.04

8. 侯剑辉，叶龙，赵文超"一种对称结构聚合物太阳能电池及其应用", 申请公布号：CN104134751A，申请公布日：2014.11.05

9. 侯剑辉，李荪荪，张少青"一种含砜基的新型共轭聚合物及其制备方法和应用"，申请公布号：CN104311799A，申请公布日：2015.01.28