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发明授权:

  1. 侯剑辉,李永舫,霍利军,何畅,樊本虎 "一种聚对苯乙炔及制备方法和应用",授权公告号:CN100341906C,授权公告日:2007.10.10

  2. 侯剑辉,李永舫 " 一种支链共轭聚噻吩衍生物材料及其制备方法",授权公告号:CN100345888C,授权公告日:2007.10.31

  3. 侯剑辉,谭占鳌,李永舫 "一种两维共轭聚合物及其制备方法与应用",授权公告号:CN1986603B,授权公告日:2010.05.05

  4. 霍利军,侯剑辉 "一种苯并二呋喃类共轭聚合物材料及其制备方法与应用",授权公告号:CN102408547B,授权公告日:2013.05.22

  5. 侯剑辉,张少青 " 用于聚合物太阳能电池活性层材料的具有羰基取代噻吩并[3,4-B]噻吩单元的共轭聚合物",授权公告号:CN102482421B,授权公告日:2013.11.06

  6. 霍利军,侯剑辉 "一种二维共轭苯并二呋喃类共轭聚合物材料及其制备方法与应用",授权公告号:CN102585175B,授权公告日:2013.12.11

  7. 霍利军,侯剑辉,武岳 "光电活性二噻吩并苯并二噻吩类共轭聚合物及其制备方法与应用",授权公告号:CN102585177B,授权公告日:2014.05.07

  8. 杨阳,侯剑辉 "用于光电器件的活性材料",授权公布号:CN102164926B,授权公告日:2015.01.14

 

发明公布:

  1. 杨阳,侯剑辉,陈香妤 "用于光电器件的活性材料及使用所述材料的器件",申请公布号:CN102124046A,申请公布日:2011.07.13

  2. 侯剑辉,钱德平 "一类可交联的噻吩并[3,4-b]噻吩共轭聚合物及其制备方法与应用",申请公布号:CN102532492A,申请公布日:2012.07.04

  3. 霍利军,侯剑辉 "二噻吩并苯并二噻吩类共轭聚合物材料及其制备方法与应用",申请公布号:CN103193962A,申请公布日:2013.07.10

  4. 张茂杰,国霞,侯剑辉 " 一种共轭聚合物及其制备方法与应用",申请公布号:CN103435783A,申请公布日:2013.12.11

  5. 张茂杰,国霞,侯剑辉 "一种聚噻吩衍生物及其制备方法与应用",中国发明专利,申请公布号:CN103772665A,申请公布日:2014.05.07

  6. 侯剑辉,陈宇,张少青  "一种带有聚乙二醇单甲醚侧链的噻吩并[3,4-b]噻吩共轭聚合物材料、其制备方法及其应用",申请公布号:CN103804659A,申请公布日:2014.05.21

  7. 侯剑辉,叶龙,张少青 "一种含有硫取代的二维共轭聚合物,其制备方法及其应用",申请公布号:CN103833991A,申请公布日:2014.06.04

  8. 侯剑辉,叶龙,赵文超"一种对称结构聚合物太阳能电池及其应用", 申请公布号:CN104134751A,申请公布日:2014.11.05

  9. 侯剑辉,李荪荪,张少青"一种含砜基的新型共轭聚合物及其制备方法和应用",申请公布号:CN104311799A,申请公布日:2015.01.28